Detalles de la búsqueda
1.
First direct observation of a nearly ideal graphene band structure.
Phys Rev Lett
; 103(22): 226803, 2009 Nov 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20366119
2.
Graphene etching on SiC grains as a path to interstellar polycyclic aromatic hydrocarbons formation.
Nat Commun
; 5: 3054, 2014.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24448250
3.
Electronic promotion of silicon nitridation by alkali metals.
Phys Rev Lett
; 59(13): 1488-1491, 1987 Sep 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10035247
4.
Atomic Structure of the beta -SiC(100)-(3 x 2) Surface.
Phys Rev Lett
; 77(10): 2013-2016, 1996 Sep 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10061835
5.
Derycke et al. reply:
Phys Rev Lett
; 85(12): 2650, 2000 Sep 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10978133
6.
Identification of surface core-level shift origin for prototypical Cs/Si(100) 2 x 1 system by photoemission EXAFS.
Phys Rev B Condens Matter
; 52(16): 12020-12025, 1995 Oct 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9980342
7.
Alkali-metal-promoted oxidation of the Si(100)2 x 1 surface: Coverage dependence and nonlocality.
Phys Rev B Condens Matter
; 39(17): 12775-12782, 1989 Jun 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9948149
8.
Alkali-metal-induced interface resonant state on a semiconductor surface.
Phys Rev B Condens Matter
; 40(18): 12570-12573, 1989 Dec 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9991905
9.
Ge(100) 2 x 1 and c(4 x 2) surface reconstructions studied by ab initio total-energy molecular-force calculations.
Phys Rev B Condens Matter
; 50(4): 2249-2258, 1994 Jul 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9976442
10.
Thermal growth of SiO2-Si interfaces on a Si(111)7 x 7 surface modified by cesium.
Phys Rev B Condens Matter
; 37(3): 1315-1319, 1988 Jan 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9944641
11.
Vibrational evidence of surface reconstruction in the Ni(100)/O system obtained using high-resolution electron-energy-loss spectroscopy.
Phys Rev B Condens Matter
; 42(11): 7234-7237, 1990 Oct 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9994852
12.
Room-temperature nitridation of gallium arsenide using alkali metal and molecular nitrogen.
Phys Rev B Condens Matter
; 42(6): 3769-3772, 1990 Aug 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9995898
13.
Schottky-barrier and interface formation of Cs/GaSb(110) and Rb/GaSb(110) at room temperature.
Phys Rev B Condens Matter
; 49(8): 5490-5497, 1994 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10011503
14.
Direct and Rb-promoted SiOx/ beta -SiC(100) interface formation.
Phys Rev B Condens Matter
; 51(20): 14300-14310, 1995 May 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9978359
15.
Structure of the Na/Si(100)2 x 1 and Cs/Si(100)2 x 1 interfaces investigated by photoemission extended x-ray-absorption fine structure.
Phys Rev B Condens Matter
; 44(11): 5622-5628, 1991 Sep 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9998402
16.
Precursor molecular-oxygen state in the initial catalytic oxidation of the InP(110) surface modified by alkali metals.
Phys Rev B Condens Matter
; 37(11): 6496-6499, 1988 Apr 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9943899
17.
Soft-x-ray photoemission study of chemisorption and Fermi-level pinning at the Cs/GaAs(110) and K/GaAs(110) interfaces.
Phys Rev B Condens Matter
; 38(11): 7568-7575, 1988 Oct 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9945484
18.
Atomic structure, adsorbate ordering, and mode of growth of the K/Si(100)2 x 1 surface.
Phys Rev B Condens Matter
; 46(20): 13471-13479, 1992 Nov 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10003394
19.
Unoccupied surface states on W(001) and Mo(001) by inverse photoemission.
Phys Rev B Condens Matter
; 34(12): 8989-8992, 1986 Dec 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9939638
20.
Chemistry and electronic properties of metal-organic semiconductor interfaces: Al, Ti, In, Sn, Ag, and Au on PTCDA.
Phys Rev B Condens Matter
; 54(19): 13748-13758, 1996 Nov 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9985292