Detalles de la búsqueda
1.
III-nitride m-plane violet narrow ridge edge-emitting laser diodes with sidewall passivation using atomic layer deposition.
Opt Express
; 32(12): 20483-20490, 2024 Jun 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38859429
2.
Hybrid tunnel junction enabled independent junction control of cascaded InGaN blue/green micro-light-emitting diodes.
Opt Express
; 31(5): 7572-7578, 2023 Feb 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36859886
3.
High external quantum efficiency (6.8%) UV-A LEDs on AlN templates with quantum barrier optimization.
Opt Express
; 31(18): 28649-28657, 2023 Aug 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37710681
4.
High external quantum efficiency (6.5%) InGaN V-defect LEDs at 600â nm on patterned sapphire substrates.
Opt Express
; 31(25): 41351-41360, 2023 Dec 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38087536
5.
Localization Effect in Photoelectron Transport Induced by Alloy Disorder in Nitride Semiconductor Compounds.
Phys Rev Lett
; 129(21): 216602, 2022 Nov 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36461952
6.
Fully transparent metal organic chemical vapor deposition-grown cascaded InGaN micro-light-emitting diodes with independent junction control.
Opt Express
; 29(14): 22001-22007, 2021 Jul 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34265974
7.
Dependence of carrier escape lifetimes on quantum barrier thickness in InGaN/GaN multiple quantum well photodetectors.
Opt Express
; 28(16): 23796-23805, 2020 Aug 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32752371
8.
Size-independent low voltage of InGaN micro-light-emitting diodes with epitaxial tunnel junctions using selective area growth by metalorganic chemical vapor deposition.
Opt Express
; 28(13): 18707-18712, 2020 Jun 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32672165
9.
560â nm InGaN micro-LEDs on low-defect-density and scalable (20-21) semipolar GaN on patterned sapphire substrates.
Opt Express
; 28(12): 18150-18159, 2020 Jun 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32680016
10.
Electrically driven, polarized, phosphor-free white semipolar (20-21) InGaN light-emitting diodes grown on semipolar bulk GaN substrate.
Opt Express
; 28(9): 13569-13575, 2020 Apr 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32403828
11.
Improved performance of AlGaInP red micro-light-emitting diodes with sidewall treatments.
Opt Express
; 28(4): 5787-5793, 2020 Feb 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32121793
12.
Efficient tunnel junction contacts for high-power semipolar III-nitride edge-emitting laser diodes.
Opt Express
; 27(6): 8327-8334, 2019 Mar 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31052652
13.
Realization of thin-film m-plane InGaN laser diode fabricated by epitaxial lateral overgrowth and mechanical separation from a reusable growth substrate.
Opt Express
; 27(17): 24717-24723, 2019 Aug 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31510356
14.
Impact of roughening density on the light extraction efficiency of thin-film flip-chip ultraviolet LEDs grown on SiC.
Opt Express
; 27(16): A1074-A1083, 2019 Aug 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31510492
15.
Prospects for 100% wall-plug efficient III-nitride LEDs.
Opt Express
; 26(13): 16600-16608, 2018 Jun 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30119487
16.
Zinc oxide clad limited area epitaxy semipolar III-nitride laser diodes.
Opt Express
; 26(10): 12490-12498, 2018 May 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29801286
17.
Development of high performance green c-plane III-nitride light-emitting diodes.
Opt Express
; 26(5): 5591-5601, 2018 Mar 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29529761
18.
Semipolar InGaN quantum-well laser diode with integrated amplifier for visible light communications.
Opt Express
; 26(6): A219-A226, 2018 Mar 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29609284
19.
Using tunnel junctions to grow monolithically integrated optically pumped semipolar III-nitride yellow quantum wells on top of electrically injected blue quantum wells.
Opt Express
; 25(4): 3841-3849, 2017 Feb 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28241595
20.
Gigabit-per-second white light-based visible light communication using near-ultraviolet laser diode and red-, green-, and blue-emitting phosphors.
Opt Express
; 25(15): 17480-17487, 2017 Jul 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28789239