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1.
OES diagnostics as a universal technique to control the Si etching structures profile in ICP.
Sci Rep
; 12(1): 5287, 2022 Mar 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35347199
2.
High-temperature etching of SiC in SF6/O2 inductively coupled plasma.
Sci Rep
; 10(1): 19977, 2020 Nov 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33203949
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