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1.
Layer-controlled epitaxy of 2D semiconductors: bridging nanoscale phenomena to wafer-scale uniformity.
Nanotechnology
; 29(42): 425602, 2018 Oct 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30070657
2.
Challenges of Wafer-Scale Integration of 2D Semiconductors for High-Performance Transistor Circuits.
Adv Mater
; 34(48): e2109796, 2022 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36071023
3.
Impact of device scaling on the electrical properties of MoS2 field-effect transistors.
Sci Rep
; 11(1): 6610, 2021 Mar 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33758215
4.
From the metal to the channel: a study of carrier injection through the metal/2D MoS2 interface.
Nanoscale
; 9(30): 10869-10879, 2017 Aug 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28731082
5.
Polarity control in WSe2 double-gate transistors.
Sci Rep
; 6: 29448, 2016 07 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27390014
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