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1.
Very low excess noise Al0.75Ga0.25As0.56Sb0.44 avalanche photodiode.
Opt Express
; 31(20): 33141-33149, 2023 Sep 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37859101
2.
Few-photon detection using InAs avalanche photodiodes.
Opt Express
; 27(4): 5835-5842, 2019 Feb 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30876178
3.
Quantitative traceable temperature measurement using novel thermal imaging camera.
Opt Express
; 26(19): 24904-24916, 2018 Sep 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30469599
4.
Quantitative thermal imaging using single-pixel Si APD and MEMS mirror.
Opt Express
; 26(3): 3188-3198, 2018 Feb 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29401850
5.
Effects of carrier injection profile on low noise thin Al0.85Ga0.15As0.56Sb0.44 avalanche photodiodes.
Opt Express
; 26(3): 3568-3576, 2018 Feb 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29401884
6.
Proton radiation effect on InAs avalanche photodiodes.
Opt Express
; 25(3): 2818-2825, 2017 Feb 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29518998
7.
InGaAs/AlGaAsSb avalanche photodiode with high gain-bandwidth product.
Opt Express
; 24(21): 24242-24247, 2016 Oct 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27828254
8.
1550 nm InGaAs/InAlAs single photon avalanche diode at room temperature.
Opt Express
; 22(19): 22608-15, 2014 Sep 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25321730
9.
Linear array of InAs APDs operating at 2 µm.
Opt Express
; 21(22): 25780-7, 2013 Nov 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24216804
10.
Temperature dependence of impact ionization in InAs.
Opt Express
; 21(7): 8630-7, 2013 Apr 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23571953
11.
Planar InAs photodiodes fabricated using He ion implantation.
Opt Express
; 20(8): 8575-83, 2012 Apr 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22513566
12.
Temperature dependence of gain and excess noise in InAs electron avalanche photodiodes.
Opt Express
; 20(28): 29568, 2012 Dec 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23388783
13.
Feature issue introduction: quantum dots for photonic applications.
Opt Express
; 20(10): 10721-3, 2012 May 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22565697
14.
1300 nm wavelength InAs quantum dot photodetector grown on silicon.
Opt Express
; 20(10): 10446-52, 2012 May 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22565669
15.
High speed InAs electron avalanche photodiodes overcome the conventional gain-bandwidth product limit.
Opt Express
; 19(23): 23341-9, 2011 Nov 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22109211
16.
High temperature and wavelength dependence of avalanche gain of AlAsSb avalanche photodiodes.
Opt Lett
; 36(21): 4287-9, 2011 Nov 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22048393
17.
Demonstration of large ionization coefficient ratio in AlAs0.56Sb0.44 lattice matched to InP.
Sci Rep
; 8(1): 9107, 2018 Jun 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29904062
18.
Thin Al1-x Ga x As0.56Sb0.44 diodes with extremely weak temperature dependence of avalanche breakdown.
R Soc Open Sci
; 4(5): 170071, 2017 May.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28573013
19.
InGaAs/InAlAs single photon avalanche diode for 1550â nm photons.
R Soc Open Sci
; 3(3): 150584, 2016 Mar.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-27069647
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