Detalles de la búsqueda
1.
Characterization and Fabrication of the CFM-JTE for 4H-SiC Power Device with High-Efficiency Protection and Increased JTE Dose Tolerance Window.
Nanoscale Res Lett
; 15(1): 211, 2020 Nov 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33170390
Resultados
1 -
1
de 1
1
Próxima >
>>