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1.
Structural and Stress Properties of AlGaN Epilayers Grown on AlN-Nanopatterned Sapphire Templates by Hydride Vapor Phase Epitaxy.
Nanomaterials (Basel)
; 8(9)2018 Sep 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30201865
2.
85% internal quantum efficiency of 280-nm AlGaN multiple quantum wells by defect engineering.
Sci Rep
; 7(1): 14422, 2017 10 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29089552
3.
Reduction of Defects in AlGaN Grown on Nanoscale-Patterned Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy.
Materials (Basel)
; 10(6)2017 May 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28772961
4.
Comparison of Erosion Behavior and Particle Contamination in Mass-Production CF4/O2 Plasma Chambers Using Y2O3 and YF3 Protective Coatings.
Nanomaterials (Basel)
; 7(7)2017 Jul 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28708079
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