Detalles de la búsqueda
1.
Absence of a Band Gap at the Interface of a Metal and Highly Doped Monolayer MoS2.
Nano Lett
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Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28920701
2.
Damage-Free Atomic Layer Etch of WSe2: A Platform for Fabricating Clean Two-Dimensional Devices.
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; 13(1): 1930-1942, 2021 Jan 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33351577
3.
The device level modulation of carrier transport in a 2D WSe2 field effect transistor via a plasma treatment.
Nanoscale
; 11(37): 17368-17375, 2019 Oct 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31524214
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