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1.
Electron transport in multigate In x Ga 1-x as nanowire FETs: from diffusive to ballistic regimes at room temperature.
Nano Lett
; 14(2): 626-33, 2014 Feb 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24382089
2.
A steep-slope transistor based on abrupt electronic phase transition.
Nat Commun
; 6: 7812, 2015 Aug 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26249212
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