Detalles de la búsqueda
1.
Fully tunable, non-invasive thermal biasing of gated nanostructures suitable for low-temperature studies.
Nanotechnology
; 25(38): 385704, 2014 Sep 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25181529
2.
Formation of nanogaps in InAs nanowires by selectively etching embedded InP segments.
Nanotechnology
; 25(46): 465306, 2014 Nov 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25360747
3.
Strong coupling between a microwave photon and a singlet-triplet qubit.
Nat Commun
; 15(1): 1068, 2024 Feb 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38316779
4.
Control and understanding of kink formation in InAs-InP heterostructure nanowires.
Nanotechnology
; 24(34): 345601, 2013 Aug 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23900037
5.
Vertical InAs nanowire wrap gate transistors with f(t) > 7 GHz and f(max) > 20 GHz.
Nano Lett
; 10(3): 809-12, 2010 Mar 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20131812
6.
Time-resolved photoluminescence investigations on HfO2-capped InP nanowires.
Nanotechnology
; 21(10): 105711, 2010 Mar 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20157234
7.
The electrical and structural properties of n-type InAs nanowires grown from metal-organic precursors.
Nanotechnology
; 21(20): 205703, 2010 May 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20413840
8.
Ambipolar transport in narrow bandgap semiconductor InSb nanowires.
Nanoscale
; 12(15): 8159-8165, 2020 Apr 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32239037
9.
Electrical control of spins and giant g-factors in ring-like coupled quantum dots.
Nat Commun
; 10(1): 5740, 2019 12 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31844044
10.
Vertical Gate-All-Around Nanowire GaSb-InAs Core-Shell n-Type Tunnel FETs.
Sci Rep
; 9(1): 202, 2019 Jan 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30655575
11.
Imaging Atomic Scale Dynamics on III-V Nanowire Surfaces During Electrical Operation.
Sci Rep
; 7(1): 12790, 2017 10 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28986546
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