Detalles de la búsqueda
1.
Investigation of SiGeSn/GeSn/SiGeSn single quantum well with enhanced well emission.
Nanotechnology
; 33(8)2021 Nov 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34763328
2.
Optically pumped lasing at 3 µm from compositionally graded GeSn with tin up to 22.3.
Opt Lett
; 43(19): 4558-4561, 2018 Oct 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30272682
3.
Study of direct bandgap type-I GeSn/GeSn double quantum well with improved carrier confinement.
Nanotechnology
; 29(46): 465201, 2018 Nov 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30191884
4.
Study of a SiGeSn/GeSn/SiGeSn structure toward direct bandgap type-I quantum well for all group-IV optoelectronics.
Opt Lett
; 42(3): 387-390, 2017 Feb 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28146483
5.
Systematic study of Si-based GeSn photodiodes with 2.6 µm detector cutoff for short-wave infrared detection.
Opt Express
; 24(5): 4519-4531, 2016 Mar 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29092279
6.
Temperature dependent spectral response and detectivity of GeSn photoconductors on silicon for short wave infrared detection.
Opt Express
; 22(13): 15639-52, 2014 Jun 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24977823
7.
Impurity rejection in the crystallization of ABT-510 as a method to establish starting material specifications.
Adv Exp Med Biol
; 611: 595-6, 2009.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19400326
8.
Ge1-xSnx alloys: Consequences of band mixing effects for the evolution of the band gap Γ-character with Sn concentration.
Sci Rep
; 9(1): 14077, 2019 Oct 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31575881
9.
Molecular-based synthetic approach to new group IV materials for high-efficiency, low-cost solar cells and Si-based optoelectronics.
J Am Chem Soc
; 130(47): 16095-102, 2008 Nov 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19032100
10.
Agglomerative crystallization of ABT-510 in a partially miscible solvent system.
J Pharm Sci
; 97(3): 1202-12, 2008 Mar.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-17683060
11.
Investigation of GeSn Strain Relaxation and Spontaneous Composition Gradient for Low-Defect and High-Sn Alloy Growth.
Sci Rep
; 8(1): 5640, 2018 Apr 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29618825
12.
Evolution of the synthetic process to prepare the tripeptide segment of ABT-510.
Adv Exp Med Biol
; 611: 575-6, 2009.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19400320
13.
Ether-like Si-Ge hydrides for applications in synthesis of nanostructured semiconductors and dielectrics.
Dalton Trans
; (34): 6773-82, 2009 Sep 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19690688
14.
ClnH6-nSiGe compounds for CMOS compatible semiconductor applications: synthesis and fundamental studies.
J Am Chem Soc
; 129(25): 7950-60, 2007 Jun 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-17547404
15.
Synthesis of butane-like SiGe hydrides: enabling precursors for CVD of Ge-rich semiconductors.
J Am Chem Soc
; 128(21): 6919-30, 2006 May 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-16719472
16.
Synthesis and fundamental studies of (H3Ge)xSiH4-x molecules: precursors to semiconductor hetero- and nanostructures on Si.
J Am Chem Soc
; 127(27): 9855-64, 2005 Jul 13.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-15998091
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