Detalles de la búsqueda
1.
Size control of InP nanowires byin situannealing and its application to the formation of InAsP quantum dots.
Nanotechnology
; 35(19)2024 Feb 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38306695
2.
Demonstration of InP/InAsP/InP axial heterostructure nanowire array vertical LEDs.
Nanotechnology
; 31(39): 394003, 2020 Sep 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32658871
3.
Characterization of nanowire light-emitting diodes grown by selective-area metal-organic vapor-phase epitaxy.
Nanotechnology
; 30(13): 134002, 2019 Mar 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30625458
4.
A III-V nanowire channel on silicon for high-performance vertical transistors.
Nature
; 488(7410): 189-92, 2012 Aug 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22854778
5.
Growth of All-Wurtzite InP/AlInP Core-Multishell Nanowire Array.
Nano Lett
; 17(3): 1350-1355, 2017 03 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28166409
6.
Condensed-matter Physics: Flat transistor defies the limit.
Nature
; 526(7571): 51-2, 2015 Oct 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26432242
7.
Selective-Area Growth of InAs Nanowires on Ge and Vertical Transistor Application.
Nano Lett
; 15(11): 7253-7, 2015 Nov 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26468962
8.
Sub 60 mV/decade switch using an InAs nanowire-Si heterojunction and turn-on voltage shift with a pulsed doping technique.
Nano Lett
; 13(12): 5822-6, 2013.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24215512
9.
InP Crystal Phase Heterojunction Transistor with a Vertical Gate-All-Around Structure.
ACS Appl Mater Interfaces
; 16(23): 30471-30477, 2024 Jun 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38819142
10.
GaAs nanowire growth on polycrystalline silicon thin films using selective-area MOVPE.
Nanotechnology
; 24(11): 115304, 2013 Mar 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23449458
11.
Bidirectional growth of indium phosphide nanowires.
Nano Lett
; 12(9): 4770-4, 2012 Sep 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22888965
12.
Selective-Area Growth of Vertical InGaAs/GaSb Core-Shell Nanowires on Silicon and Dual Switching Properties.
ACS Nano
; 17(18): 18346-18351, 2023 Sep 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37615535
13.
Position-controlled III-V compound semiconductor nanowire solar cells by selective-area metal-organic vapor phase epitaxy.
Ambio
; 41 Suppl 2: 119-24, 2012.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22434437
14.
Zinc blende and wurtzite crystal phase mixing and transition in indium phosphide nanowires.
Nano Lett
; 11(10): 4314-8, 2011 Oct 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21875079
15.
Creation of unexplored tunnel junction by heterogeneous integration of InGaAs nanowires on germanium.
Sci Rep
; 12(1): 1606, 2022 Jan 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35102214
16.
GaAs/AlGaAs core multishell nanowire-based light-emitting diodes on Si.
Nano Lett
; 10(5): 1639-44, 2010 May 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20377199
17.
Structural transition in indium phosphide nanowires.
Nano Lett
; 10(5): 1699-703, 2010 May 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20387797
18.
Rational synthesis of atomically thin quantum structures in nanowires based on nucleation processes.
Sci Rep
; 10(1): 10720, 2020 Jul 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32612276
19.
Selective-area growth of vertically aligned GaAs and GaAs/AlGaAs core-shell nanowires on Si(111) substrate.
Nanotechnology
; 20(14): 145302, 2009 Apr 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19420521
20.
Control of InAs nanowire growth directions on Si.
Nano Lett
; 8(10): 3475-80, 2008 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-18783279
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