Detalles de la búsqueda
1.
The Role of Ti Buffer Layer Thickness on the Resistive Switching Properties of Hafnium Oxide-Based Resistive Switching Memories.
Langmuir
; 33(19): 4654-4665, 2017 05 16.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28420238
2.
Polarity reversion of the operation mode of HfO2-based resistive random access memory devices by inserting Hf metal layer.
J Nanosci Nanotechnol
; 13(3): 1733-7, 2013 Mar.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-23755581
3.
Experimental investigation of the reliability issue of RRAM based on high resistance state conduction.
Nanotechnology
; 22(25): 254016, 2011 Jun 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21572217
4.
Crystallization kinetics of amorphous Ga-Sb films extended for phase-change memory.
J Nanosci Nanotechnol
; 11(12): 10654-8, 2011 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22408967
5.
Excellent resistive memory characteristics and switching mechanism using a Ti nanolayer at the Cu/TaOx interface.
Nanoscale Res Lett
; 7(1): 345, 2012 Jun 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22734564
6.
Formation polarity dependent improved resistive switching memory characteristics using nanoscale (1.3 nm) core-shell IrOx nano-dots.
Nanoscale Res Lett
; 7(1): 194, 2012 Mar 22.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-22439604
7.
Enhanced nanoscale resistive switching memory characteristics and switching mechanism using high-Ge-content Ge0.5Se0.5 solid electrolyte.
Nanoscale Res Lett
; 7(1): 614, 2012 Nov 06.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-23130908
8.
Formation and instability of silver nanofilament in Ag-based programmable metallization cells.
ACS Nano
; 4(9): 5414-20, 2010 Sep 28.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-20707382
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