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1.
Development of Equivalent Material Properties of Microbump for Simulating Chip Stacking Packaging.
Materials (Basel)
; 8(8): 5121-5137, 2015 Aug 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28793495
2.
A Resultant Stress Effect of Contact Etching Stop Layer and Geometrical Designs of Poly Gate on Nanoscaled nMOSFETs with a Si1-xGe(x) Channel.
J Nanosci Nanotechnol
; 15(3): 2173-8, 2015 Mar.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26413636
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