Detalles de la búsqueda
1.
Resistive switching and role of interfaces in memristive devices based on amorphous NbOx grown by anodic oxidation.
Phys Chem Chem Phys
; 25(21): 14766-14777, 2023 May 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37145117
2.
Resistivity control by the electrochemical removal of dopant atoms from a nanodot.
Faraday Discuss
; 213(0): 29-40, 2019 02 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30357246
3.
Spring-Like Pseudoelectroelasticity of Monocrystalline Cu2S Nanowire.
Nano Lett
; 18(8): 5070-5077, 2018 08 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29965777
4.
Preface.
Faraday Discuss
; 213(0): 9-10, 2019 02 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30724961
5.
Phase-change memories (PCM) - Experiments and modelling: general discussion.
Faraday Discuss
; 213(0): 393-420, 2019 02 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30697618
6.
Synaptic and neuromorphic functions: general discussion.
Faraday Discuss
; 213(0): 553-578, 2019 02 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30697617
7.
Electrochemical metallization ReRAMs (ECM) - Experiments and modelling: general discussion.
Faraday Discuss
; 213(0): 115-150, 2019 02 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30663725
8.
Valence change ReRAMs (VCM) - Experiments and modelling: general discussion.
Faraday Discuss
; 213(0): 259-286, 2019 02 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30664143
9.
Volatile resistance states in electrochemical metallization cells enabling non-destructive readout of complementary resistive switches.
Nanotechnology
; 25(42): 425202, 2014 Oct 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25266966
10.
Physical origins and suppression of Ag dissolution in GeS(x)-based ECM cells.
Phys Chem Chem Phys
; 16(34): 18217-25, 2014 Sep 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25055181
11.
Electrochemical rewiring through quantum conductance effects in single metallic memristive nanowires.
Nanoscale Horiz
; 9(3): 416-426, 2024 Feb 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38224292
12.
Non-volatile memories: Organic memristors come of age.
Nat Mater
; 16(12): 1170-1172, 2017 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29058728
13.
Atomically controlled electrochemical nucleation at superionic solid electrolyte surfaces.
Nat Mater
; 11(6): 530-5, 2012 Apr 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22543299
14.
Switching kinetics of electrochemical metallization memory cells.
Phys Chem Chem Phys
; 15(18): 6945-52, 2013 May 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23549450
15.
Electrochemical-Memristor-Based Artificial Neurons and Synapses-Fundamentals, Applications, and Challenges.
Adv Mater
; 35(37): e2301924, 2023 Sep.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37199224
16.
Chemical Influence of Carbon Interface Layers in Metal/Oxide Resistive Switches.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(14): 18528-18536, 2023 Apr 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36989142
17.
Effect of electrode materials on resistive switching behaviour of NbOx-based memristive devices.
Sci Rep
; 13(1): 17003, 2023 Oct 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37813937
18.
Microwave synthesis of molybdenene from MoS2.
Nat Nanotechnol
; 18(12): 1430-1438, 2023 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37666941
19.
Recent Advances and Future Prospects for Memristive Materials, Devices, and Systems.
ACS Nano
; 17(13): 11994-12039, 2023 Jul 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37382380
20.
Design of Materials Configuration for Optimizing Redox-Based Resistive Switching Memories.
Adv Mater
; 34(3): e2105022, 2022 Jan.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-34695257