Detalles de la búsqueda
1.
Linearized radially polarized light for improved precision in strain measurements using micro-Raman spectroscopy.
Opt Express
; 29(21): 34531-34551, 2021 Oct 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34809241
2.
Chemical vapor deposition of monolayer-thin WS2 crystals from the WF6 and H2S precursors at low deposition temperature.
J Chem Phys
; 150(10): 104703, 2019 Mar 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30876349
3.
Structural characterization of SnS crystals formed by chemical vapour deposition.
J Microsc
; 268(3): 276-287, 2017 12.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28960352
4.
Observation and understanding of anisotropic strain relaxation in selectively grown SiGe fin structures.
Nanotechnology
; 28(14): 145703, 2017 Apr 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28186001
5.
Nucleation and growth mechanisms of Al2O3 atomic layerdeposition on synthetic polycrystalline MoS2.
J Chem Phys
; 146(5): 052810, 2017 Feb 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28178804
6.
Field Effect and Strongly Localized Carriers in the Metal-Insulator Transition Material VO(2).
Phys Rev Lett
; 115(19): 196401, 2015 Nov 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26588400
7.
Fast Fourier transform scanning spreading resistance microscopy: a novel technique to overcome the limitations of classical conductive AFM techniques.
Nanotechnology
; 26(35): 355702, 2015 Sep 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26245715
8.
Direct imaging of 3D atomic-scale dopant-defect clustering processes in ion-implanted silicon.
Nano Lett
; 13(6): 2458-62, 2013 Jun 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23675857
9.
Light absorption in conical silicon particles.
Opt Express
; 21(3): 3891-6, 2013 Feb 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23481845
10.
Electrical tomography using atomic force microscopy and its application towards carbon nanotube-based interconnects.
Nanotechnology
; 23(30): 305707, 2012 Aug 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22781880
11.
Observation of diameter dependent carrier distribution in nanowire-based transistors.
Nanotechnology
; 22(18): 185701, 2011 May 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21415466
12.
Characterization of nickel silicides using EELS-based methods.
J Microsc
; 240(1): 75-82, 2010 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21050215
13.
Evolution of metastable phases in silicon during nanoindentation: mechanism analysis and experimental verification.
Nanotechnology
; 20(30): 305705, 2009 Jul 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19584422
14.
Failure mechanisms of silicon-based atom-probe tips.
Ultramicroscopy
; 109(5): 486-91, 2009 Apr.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19162397
15.
Laser-assisted atom probe tomography of semiconductors: The impact of the focused-ion beam specimen preparation.
Ultramicroscopy
; 188: 19-23, 2018 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29529555
16.
Wet-chemical etching of atom probe tips for artefact free analyses of nanoscaled semiconductor structures.
Ultramicroscopy
; 186: 1-8, 2018 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29241145
17.
X-ray absorption in pillar shaped transmission electron microscopy specimens.
Ultramicroscopy
; 177: 58-68, 2017 Jun.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28292687
18.
Atom probe tomography analysis of SiGe fins embedded in SiO2: Facts and artefacts.
Ultramicroscopy
; 179: 100-107, 2017 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28460266
19.
Nanoscopic structural rearrangements of the Cu-filament in conductive-bridge memories.
Nanoscale
; 8(29): 13915-23, 2016 Jul 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27441315
20.
Outwitting the series resistance in scanning spreading resistance microscopy.
Ultramicroscopy
; 161: 59-65, 2016 Feb.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-26624516