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1.
Editorial for the Special Issue on Wide Bandgap Based Devices: Design, Fabrication and Applications, Volume II.
Micromachines (Basel)
; 13(3)2022 Mar 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35334695
2.
Temperature-Independent Current Dispersion in 0.15 µm AlGaN/GaN HEMTs for 5G Applications.
Micromachines (Basel)
; 13(12)2022 Dec 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36557543
3.
High-Resolution Photoemission Study of Neutron-Induced Defects in Amorphous Hydrogenated Silicon Devices.
Nanomaterials (Basel)
; 12(19)2022 Oct 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36234601
4.
On the Modeling of the Donor/Acceptor Compensation Ratio in Carbon-Doped GaN to Univocally Reproduce Breakdown Voltage and Current Collapse in Lateral GaN Power HEMTs.
Micromachines (Basel)
; 12(6)2021 Jun 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34208780
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