Detalles de la búsqueda
1.
Time-resolved open-circuit conductive atomic force microscopy for direct electromechanical characterisation.
Nanotechnology
; 31(40): 404003, 2020 Oct 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32521513
2.
Bistability of Contact Angle and Its Role in Achieving Quantum-Thin Self-Assisted GaAs nanowires.
Nano Lett
; 18(1): 49-57, 2018 01 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29257895
3.
Anisotropic-Strain-Induced Band Gap Engineering in Nanowire-Based Quantum Dots.
Nano Lett
; 18(4): 2393-2401, 2018 04 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29578722
4.
Engineering the Size Distributions of Ordered GaAs Nanowires on Silicon.
Nano Lett
; 17(7): 4101-4108, 2017 07 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28613909
5.
Molecular beam epitaxy of InAs nanowires in SiO2 nanotube templates: challenges and prospects for integration of III-Vs on Si.
Nanotechnology
; 27(45): 455601, 2016 Nov 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27698287
6.
High Yield of GaAs Nanowire Arrays on Si Mediated by the Pinning and Contact Angle of Ga.
Nano Lett
; 15(5): 2869-74, 2015 May 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25894762
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