Detalles de la búsqueda
1.
Large-Area Epitaxial Mott Insulating 1T-TaSe2 Monolayer on GaP(111)B.
Nano Lett
; 23(20): 9413-9419, 2023 Oct 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37820373
2.
Improving the intrinsic conductance of selective area grown in-plane InAs nanowires with a GaSb shell.
Nanotechnology
; 34(26)2023 Apr 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36975178
3.
In-plane InGaAs/Ga(As)Sb nanowire based tunnel junctions grown by selective area molecular beam epitaxy.
Nanotechnology
; 33(14)2022 Jan 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34937011
4.
Triangular nanoperforation and band engineering of InGaAs quantum wells: a lithographic route toward Dirac cones in III-V semiconductors.
Nanotechnology
; 30(15): 155301, 2019 Apr 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30630145
5.
In-plane InSb nanowires grown by selective area molecular beam epitaxy on semi-insulating substrate.
Nanotechnology
; 29(30): 305705, 2018 Jul 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29738312
6.
Selective area heteroepitaxy of GaSb on GaAs (001) for in-plane InAs nanowire achievement.
Nanotechnology
; 27(50): 505301, 2016 Dec 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27861165
7.
Impact of P/In flux ratio and epilayer thickness on faceting for nanoscale selective area growth of InP by molecular beam epitaxy.
Nanotechnology
; 26(29): 295301, 2015 Jul 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26134951
8.
Influence of nanoscale faceting on the tunneling properties of near broken gap InAs/AlGaSb heterojunctions grown by selective area epitaxy.
Nanotechnology
; 25(46): 465302, 2014 Nov 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25354494
9.
Transport inefficiency in branched-out mesoscopic networks: an analog of the Braess paradox.
Phys Rev Lett
; 108(7): 076802, 2012 Feb 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22401236
10.
High yield of self-catalyzed GaAs nanowire arrays grown on silicon via gallium droplet positioning.
Nanotechnology
; 22(27): 275602, 2011 Jul 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21597162
11.
Structural determination of bilayer graphene on SiC(0001) using synchrotron radiation photoelectron diffraction.
Sci Rep
; 8(1): 10190, 2018 Jul 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29976962
12.
Water exclusion at the nanometer scale provides long-term passivation of silicon (111) grafted with alkyl monolayers.
J Phys Chem B
; 110(11): 5576-85, 2006 Mar 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-16539500
13.
NanoARPES of twisted bilayer graphene on SiC: absence of velocity renormalization for small angles.
Sci Rep
; 6: 27261, 2016 06 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27264791
14.
Coherent tunnelling across a quantum point contact in the quantum Hall regime.
Sci Rep
; 3: 1416, 2013.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23475303
15.
Strain relief and growth optimization of GaSb on GaP by molecular beam epitaxy.
J Phys Condens Matter
; 24(33): 335802, 2012 Aug 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22836299
16.
Imaging Coulomb islands in a quantum Hall interferometer.
Nat Commun
; 1: 39, 2010 Jul 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20975700
17.
Growth of ultrathin iron silicide films: Observation of the gamma -FeSi2 phase by electron spectroscopies.
Phys Rev B Condens Matter
; 49(8): 5714-5717, 1994 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10011535
18.
Probing the local atomic environment at the interfaces in the Fe-Si system by the surface-extended energy-loss fine-structure technique.
Phys Rev B Condens Matter
; 44(24): 13811-13814, 1991 Dec 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9999597
19.
Auger and electron-energy-loss spectroscopy study of interface formation in the Ti-Si system.
Phys Rev B Condens Matter
; 41(5): 3087-3096, 1990 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9994082
20.
Imaging electron wave functions inside open quantum rings.
Phys Rev Lett
; 99(13): 136807, 2007 Sep 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-17930624