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1.
Hydrogen iodide (HI) neutral beam etching characteristics of InGaN and GaN for micro-LED fabrication.
Nanotechnology
; 34(36)2023 Jun 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37224798
2.
Enhancement of the evanescent wave coupling effect in a sub-wavelength-sized GaAs/AlGaAs ridge structure by low-refractive-index surface layers.
Opt Express
; 22 Suppl 6: A1559-66, 2014 Oct 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25607313
3.
3.5 × 3.5 µm2 GaN blue micro-light-emitting diodes with negligible sidewall surface nonradiative recombination.
Nat Commun
; 14(1): 7569, 2023 Nov 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37989746
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