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1.
Determination of dynamic parameters controlling atomic scale etching of Si(100)-(2 x 1) by chlorine.
Phys Rev Lett
; 74(11): 2014-2017, 1995 Mar 13.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10057820
2.
Pattern of Si(100): Spontaneous etching with Br2.
Phys Rev Lett
; 71(25): 4154-4157, 1993 Dec 20.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10055170
3.
Cluster deposition on GaAs(110): Formation of abrupt, defect-free interfaces.
Phys Rev Lett
; 62(13): 1568-1571, 1989 Mar 27.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10039707
4.
Electronic structure of solid C60: Experiment and theory.
Phys Rev Lett
; 66(13): 1741-1744, 1991 Apr 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10043295
5.
KC60 fulleride phase formation: An x-ray photoemission study.
Phys Rev B Condens Matter
; 47(16): 10959-10962, 1993 Apr 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10005228
6.
Br2 and Cl2 adsorption and etching of GaAs(110) studied by use of scanning tunneling microscopy.
Phys Rev B Condens Matter
; 48(24): 17913-17921, 1993 Dec 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10008426
7.
Valence fluctuation and electron spectroscopies in CeN: 4f-ligand versus 4f-conduction-band hybridization.
Phys Rev B Condens Matter
; 31(10): 6345-6348, 1985 May 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9935510
8.
Decay channels of the 5d-->5f excitation in thorium.
Phys Rev B Condens Matter
; 31(10): 6411-6414, 1985 May 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9935518
9.
4f-5d hybridization and the alpha - gamma phase transition in cerium.
Phys Rev B Condens Matter
; 32(6): 3422-3428, 1985 Sep 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9937481
10.
Vacancy kinetics and sputtering of GaAs(110).
Phys Rev B Condens Matter
; 51(16): 10929-10936, 1995 Apr 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9977793
11.
Alkali-metal-fulleride phase equilibria.
Phys Rev B Condens Matter
; 51(3): 1830-1843, 1995 Jan 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9978906
12.
Interactions of Br with Si(111)-7 x 7: Chemisorption, step retreat, and terrace etching.
Phys Rev B Condens Matter
; 52(15): 11412-11423, 1995 Oct 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9980247
13.
Electronic states and stability of the insulating RbC60 dimer phase.
Phys Rev B Condens Matter
; 52(16): 11662-11664, 1995 Oct 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9980295
14.
Evolution of a surface state into an interface state: A probe of the buried epitaxial Cr/Au(100) interface.
Phys Rev B Condens Matter
; 35(11): 5892-5895, 1987 Apr 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9940810
15.
Surface segregation at metalndashIII-V-compound-semiconductor interfaces.
Phys Rev B Condens Matter
; 36(11): 5777-5783, 1987 Oct 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9942255
16.
Formation and structure of Fe/Cu(001) interfaces, sandwiches, and superlattices.
Phys Rev B Condens Matter
; 36(17): 8992-9002, 1987 Dec 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9942759
17.
Incident beam effects in medium-energy backscattered electron diffraction.
Phys Rev B Condens Matter
; 36(6): 3007-3014, 1987 Aug 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9943208
18.
Evolution of the electronic structure of the Cr/Au(001) interface.
Phys Rev B Condens Matter
; 37(14): 8122-8129, 1988 May 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9944143
19.
Anisotropic kinetics in overlayer growth: A scanning-tunneling-microscopy study of Ge/GaAs(110).
Phys Rev B Condens Matter
; 45(23): 13803-13806, 1992 Jun 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-10001490
20.
Cluster growth of Al on stepped and unstepped GaAs(110) at 300 K: A scanning-tunneling-microscopy examination.
Phys Rev B Condens Matter
; 45(4): 1756-1761, 1992 Jan 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-10001676