Detalles de la búsqueda
1.
Cluster sampling and scalable Bayesian optimization with constraints for negative tone development resist model calibration.
Opt Express
; 32(9): 15993-16003, 2024 Apr 22.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38859237
2.
Dynamic budget analysis of multiple parameters in a lithography system based on the superposition of light intensity fluctuations.
Opt Express
; 32(4): 5323-5338, 2024 Feb 12.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38439262
3.
Method for optical proximity correction based on a vector imaging model.
Appl Opt
; 63(10): 2719-2727, 2024 Apr 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38568557
4.
SCAPSM: attenuated phase-shift mask structure for EUV lithography.
Appl Opt
; 63(9): 2263-2270, 2024 Mar 20.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38568581
5.
Mask correction method for surface plasmon lithography.
Appl Opt
; 63(2): 499-505, 2024 Jan 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38227247
6.
Influence of the vibration of extreme ultraviolet lithographic tool stages on imaging.
Opt Express
; 31(14): 22358-22371, 2023 Jul 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37475348
7.
Decomposition-learning-based thick-mask model for partially coherent lithography system.
Opt Express
; 31(12): 20321-20337, 2023 Jun 05.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-37381429
8.
Plasmonic lithography fast imaging model based on the decomposition machine learning method.
Opt Express
; 31(1): 192-210, 2023 Jan 02.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-36606960
9.
Three-dimensional plasmonic lithography imaging modeling based on the RCWA algorithm for computational lithography.
Opt Express
; 31(22): 36061-36077, 2023 Oct 23.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38017764
10.
Process optimization of contact hole patterns via a simulated annealing algorithm in extreme ultraviolet lithography.
Appl Opt
; 62(4): 927-932, 2023 Feb 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-36821146
11.
Optical proximity correction by using unsupervised learning and the patch loss function: publisher's note.
Appl Opt
; 62(32): 8702, 2023 Nov 10.
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| MEDLINE | ID: mdl-38037988
12.
Aberration budget analysis of EUV lithography from the imaging performance of a contact layer in a 5 nm technology node.
Appl Opt
; 62(27): 7270-7279, 2023 Sep 20.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-37855584
13.
Balance between the diffraction efficiency and process robustness for plasmonic lithographic alignment technology considering the Fabry-Perot resonator effect.
Appl Opt
; 62(15): 3839-3847, 2023 May 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37706692
14.
Fast diffraction model of an EUV mask based on asymmetric patch data fitting.
Appl Opt
; 62(25): 6561-6570, 2023 Sep 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37706786
15.
Process optimization of line patterns in extreme ultraviolet lithography using machine learning and a simulated annealing algorithm.
Appl Opt
; 62(11): 2892-2898, 2023 Apr 10.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-37133133
16.
DTCO optimizes critical path nets to improve chip performance with timing-aware OPC in deep ultraviolet lithography.
Appl Opt
; 62(27): 7216-7225, 2023 Sep 20.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-37855577
17.
Achieving high aspect ratio in plasmonic lithography for practical applications with sub-20 nm half pitch.
Opt Express
; 30(12): 20589-20604, 2022 Jun 06.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-36224800
18.
Fast aerial image model for EUV lithography using the adjoint fully convolutional network.
Opt Express
; 30(7): 11944-11958, 2022 Mar 28.
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| MEDLINE | ID: mdl-35473126
19.
High-precision lithography thick-mask model based on a decomposition machine learning method.
Opt Express
; 30(11): 17680-17697, 2022 May 23.
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| MEDLINE | ID: mdl-36221585
20.
Study on forbidden pitch in plasmonic lithography: taking 365â nm wavelength thin silver film-based superlens imaging lithography as an example.
Opt Express
; 30(19): 33869-33885, 2022 Sep 12.
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| MEDLINE | ID: mdl-36242413