Detalles de la búsqueda
1.
Time-resolved X-ray diffraction investigation of the modified phonon dispersion in InSb nanowires.
Nano Lett
; 14(2): 541-6, 2014 Feb 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24387246
2.
Vertical InAs nanowire wrap gate transistors with f(t) > 7 GHz and f(max) > 20 GHz.
Nano Lett
; 10(3): 809-12, 2010 Mar 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20131812
3.
Correlation-induced conductance suppression at level degeneracy in a quantum dot.
Phys Rev Lett
; 104(18): 186804, 2010 May 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20482198
4.
Vertical Gate-All-Around Nanowire GaSb-InAs Core-Shell n-Type Tunnel FETs.
Sci Rep
; 9(1): 202, 2019 Jan 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30655575
5.
Measurements of light absorption efficiency in InSb nanowires.
Struct Dyn
; 1(1): 014502, 2014 Jan.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26913673
6.
Analysing the capacitance-voltage measurements of vertical wrapped-gated nanowires.
Nanotechnology
; 19(43): 435201, 2008 Oct 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21832684
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