Detalles de la búsqueda
1.
Performance enhancement of GaSb vertical nanowire p-type MOSFETs on Si by rapid thermal annealing.
Nanotechnology
; 33(7)2021 Nov 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34736238
2.
Nanowire Tunnel FET with Simultaneously Reduced Subthermionic Subthreshold Swing and Off-Current due to Negative Capacitance and Voltage Pinning Effects.
Nano Lett
; 20(5): 3255-3262, 2020 May 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32293188
3.
Feature size control using surface reconstruction temperature in block copolymer lithography for InAs nanowire growth.
Nanotechnology
; 31(32): 325303, 2020 Aug 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32330916
4.
Impact of source doping on the performance of vertical InAs/InGaAsSb/GaSb nanowire tunneling field-effect transistors.
Nanotechnology
; 29(43): 435201, 2018 Oct 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30091724
5.
Vertical InAs/InGaAs Heterostructure Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on Si.
Nano Lett
; 17(10): 6006-6010, 2017 10 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28873310
6.
Individual Defects in InAs/InGaAsSb/GaSb Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors Operating below 60 mV/decade.
Nano Lett
; 17(7): 4373-4380, 2017 07 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28613894
7.
Low Trap Density in InAs/High-k Nanowire Gate Stacks with Optimized Growth and Doping Conditions.
Nano Lett
; 16(4): 2418-25, 2016 Apr 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26978479
8.
Low Leakage-Current InAsSb Nanowire Photodetectors on Silicon.
Nano Lett
; 16(1): 182-7, 2016 Jan 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26675242
9.
III-V Nanowire Complementary Metal-Oxide Semiconductor Transistors Monolithically Integrated on Si.
Nano Lett
; 15(12): 7898-904, 2015 Dec 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26595174
10.
Hard X-ray detection using a single 100 nm diameter nanowire.
Nano Lett
; 14(12): 7071-6, 2014 Dec 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25419623
11.
InAs nanowire MOSFETs in three-transistor configurations: single balanced RF down-conversion mixers.
Nanotechnology
; 25(48): 485203, 2014 Dec 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25382271
12.
Electrical properties of GaSb/InAsSb core/shell nanowires.
Nanotechnology
; 25(42): 425201, 2014 Oct 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25264978
13.
Diameter-Dependent photocurrent in InAsSb nanowire infrared photodetectors.
Nano Lett
; 13(4): 1380-5, 2013 Apr 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23464650
14.
Combining axial and radial nanowire heterostructures: radial Esaki diodes and tunnel field-effect transistors.
Nano Lett
; 13(12): 5919-24, 2013.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24224956
15.
Synthesis and properties of antimonide nanowires.
Nanotechnology
; 24(20): 202001, 2013 May 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23598286
16.
Single InAs/GaSb nanowire low-power CMOS inverter.
Nano Lett
; 12(11): 5593-7, 2012 Nov 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23043243
17.
Sensing single domains and individual defects in scaled ferroelectrics.
Sci Adv
; 9(5): eade7098, 2023 Feb 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36735784
18.
Effects of Interface Oxidation on Noise Properties and Performance in III-V Vertical Nanowire Memristors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(15): 19085-19091, 2023 Apr 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37026413
19.
Reconfigurable signal modulation in a ferroelectric tunnel field-effect transistor.
Nat Commun
; 14(1): 2530, 2023 May 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37137907
20.
Geometric control of diffusing elements on InAs semiconductor surfaces via metal contacts.
Nat Commun
; 14(1): 4541, 2023 Jul 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37500640