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1.
Ballistic One-Dimensional InAs Nanowire Cross-Junction Interconnects.
Nano Lett
; 17(4): 2596-2602, 2017 04 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28334529
2.
SiGeSn Ternaries for Efficient Group IV Heterostructure Light Emitters.
Small
; 13(16)2017 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28160408
3.
Quantum dots in InAs nanowires induced by surface potential fluctuations.
Nanotechnology
; 25(13): 135203, 2014 Apr 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24595060
4.
Room-Temperature Lasing from Monolithically Integrated GaAs Microdisks on Silicon.
ACS Nano
; 12(3): 2169-2175, 2018 03 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29365252
5.
Dopant-Induced Modifications of Ga xIn(1- x)P Nanowire-Based p-n Junctions Monolithically Integrated on Si(111).
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(38): 32588-32596, 2018 Sep 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30160109
6.
High-Mobility GaSb Nanostructures Cointegrated with InAs on Si.
ACS Nano
; 11(3): 2554-2560, 2017 03 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28225591
7.
High-k gate stacks on low bandgap tensile strained Ge and GeSn alloys for field-effect transistors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 7(1): 62-7, 2015 Jan 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25531887
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