Detalles de la búsqueda
1.
Steep switching characteristics of single-gated feedback field-effect transistors.
Nanotechnology
; 28(5): 055205, 2017 Feb 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28032609
2.
Prediction of Device Characteristics of Feedback Field-Effect Transistors Using TCAD-Augmented Machine Learning.
Micromachines (Basel)
; 14(3)2023 Feb 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36984910
3.
Neural oscillation of single silicon nanowire neuron device with no external bias voltage.
Sci Rep
; 12(1): 3516, 2022 03 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35241724
4.
Logic and memory functions of an inverter comprising reconfigurable double gated feedback field effect transistors.
Sci Rep
; 12(1): 12534, 2022 Jul 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35869240
5.
Integrate-and-Fire Neuron Circuit Without External Bias Voltages.
Front Neurosci
; 15: 644604, 2021.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33841084
6.
Effect of Ge Mole Fraction on Performance of Underlapped Gate-All-Around SiGe-Source Tunneling Field-Effect Transistors.
J Nanosci Nanotechnol
; 21(8): 4310-4314, 2021 Aug 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-33714319
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