Detalles de la búsqueda
1.
First Demonstration of Novel Vertical Gate-All-Around Field-Effect-Transistors Featured by Self-Aligned and Replaced High-κ Metal Gates.
Nano Lett
; 21(11): 4730-4737, 2021 Jun 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34038143
2.
Investigation on Recrystallization Channel for Vertical C-Shaped-Channel Nanosheet FETs by Laser Annealing.
Nanomaterials (Basel)
; 13(11)2023 Jun 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37299689
3.
High-Quality Recrystallization of Amorphous Silicon on Si (100) Induced via Laser Annealing at the Nanoscale.
Nanomaterials (Basel)
; 13(12)2023 Jun 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37368297
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