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1.
Study on the self-absorption of InGaN quantum wells at high photon density.
Appl Opt
; 59(16): 4790-4795, 2020 Jun 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32543471
2.
[Strain in GaN epi-layer grown by hydride vapor phase epitaxy].
Guang Pu Xue Yu Guang Pu Fen Xi
; 33(8): 2105-8, 2013 Aug.
Artículo
en Zh
| MEDLINE | ID: mdl-24159856
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