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1.
Selective Generation of V2 Silicon Vacancy Centers in 4H-Silicon Carbide.
Nano Lett
; 24(7): 2369-2375, 2024 Feb 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38348823
2.
Donor-Acceptor Pair Quantum Emitters in Hexagonal Boron Nitride.
Nano Lett
; 22(3): 1331-1337, 2022 Feb 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35073101
3.
Near Full-Composition-Range High-Quality GaAs1-xSbx Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy.
Nano Lett
; 17(2): 622-630, 2017 02 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28103038
4.
Single-Photon Emission from Point Defects in Aluminum Nitride Films.
J Phys Chem Lett
; 11(7): 2689-2694, 2020 Apr 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32186889
5.
Anomalous Pressure Characteristics of Defects in Hexagonal Boron Nitride Flakes.
ACS Nano
; 12(7): 7127-7133, 2018 Jul 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29957923
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