Detalles de la búsqueda
1.
Silicon-van der Waals heterointegration for CMOS-compatible logic-in-memory design.
Sci Adv
; 9(49): eadk1597, 2023 Dec 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38064557
2.
Filling the gap between topological insulator nanomaterials and triboelectric nanogenerators.
Nat Commun
; 13(1): 938, 2022 Feb 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35177614
3.
Reversible Charge-Polarity Control for Multioperation-Mode Transistors Based on van der Waals Heterostructures.
Adv Sci (Weinh)
; 9(24): e2106016, 2022 Aug.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35831244
4.
Diffused Beam Energy to Dope van der Waals Electronics and Boost Their Contact Barrier Lowering.
ACS Appl Mater Interfaces
; 14(36): 41156-41164, 2022 Sep 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36037311
5.
Facile and Reversible Carrier-Type Manipulation of Layered MoTe2 Toward Long-Term Stable Electronics.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(38): 42918-42924, 2020 Sep 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32864950
6.
Oxidation-boosted charge trapping in ultra-sensitive van der Waals materials for artificial synaptic features.
Nat Commun
; 11(1): 2972, 2020 06 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32532980
7.
High-Mobility InSe Transistors: The Nature of Charge Transport.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(39): 35969-35976, 2019 Oct 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31532619
8.
Oxygen-Sensitive Layered MoTe2 Channels for Environmental Detection.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(50): 47047-47053, 2019 Dec 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31746187
9.
High Mobilities in Layered InSe Transistors with Indium-Encapsulation-Induced Surface Charge Doping.
Adv Mater
; 30(44): e1803690, 2018 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30589465
10.
Author Correction: Filling the gap between topological insulator nanomaterials and triboelectric nanogenerators.
Nat Commun
; 13(1): 1570, 2022 Mar 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35301309
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