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1.
Improvement in crystal quality and optical properties of n-type GaN employing nano-scale SiO2 patterned n-type GaN substrate.
J Nanosci Nanotechnol
; 13(1): 545-7, 2013 Jan.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23646770
2.
Effect of Sapphire Substrate Thickness on the Characteristics of 450 nm InGaN/GaN Multi-Quantum Well Light-Emitting Diodes.
J Nanosci Nanotechnol
; 15(7): 5140-3, 2015 Jul.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26373092
3.
Nano-scale SiO2 patterned n-type GaN substrate for 380 nm ultra violet light emitting diodes.
J Nanosci Nanotechnol
; 14(8): 6108-11, 2014 Aug.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25936066
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