Detalles de la búsqueda
1.
First Demonstration of Novel Vertical Gate-All-Around Field-Effect-Transistors Featured by Self-Aligned and Replaced High-κ Metal Gates.
Nano Lett
; 21(11): 4730-4737, 2021 Jun 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34038143
2.
Demonstration of Germanium Vertical Gate-All-Around Field-Effect Transistors Featured by Self-Aligned High-κ Metal Gates with Record High Performance.
ACS Nano
; 17(22): 22259-22267, 2023 Nov 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37823534
3.
Growth and Selective Etch of Phosphorus-Doped Silicon/Silicon-Germanium Multilayers Structures for Vertical Transistors Application.
Nanoscale Res Lett
; 15(1): 225, 2020 Dec 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33296038
4.
Strained Si0.2Ge0.8/Ge multilayer Stacks Epitaxially Grown on a Low-/high-Temperature Ge Buffer Layer and Selective Wet-Etching of Germanium.
Nanomaterials (Basel)
; 10(9)2020 Aug 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32872556
5.
Selective Digital Etching of Silicon-Germanium Using Nitric and Hydrofluoric Acids.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(42): 48170-48178, 2020 Oct 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32970945
6.
Study of Silicon Nitride Inner Spacer Formation in Process of Gate-all-around Nano-Transistors.
Nanomaterials (Basel)
; 10(4)2020 Apr 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32326106
7.
A Novel Dry Selective Isotropic Atomic Layer Etching of SiGe for Manufacturing Vertical Nanowire Array with Diameter Less than 20 nm.
Materials (Basel)
; 13(3)2020 Feb 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32046197
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