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1.
Effects of InGaN layer thickness of AlGaN/InGaN superlattice electron blocking layer on the overall efficiency and efficiency droops of GaN-based light emitting diodes.
Opt Express
; 22 Suppl 3: A663-70, 2014 May 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24922374
2.
Optoelectrical characteristics of green light-emitting diodes containing thick InGaN wells with digitally grown InN/GaN.
Opt Express
; 22 Suppl 3: A633-41, 2014 May 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24922371
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