Detalles de la búsqueda
1.
An Improved 4H-SiC MESFET with a Partially Low Doped Channel.
Micromachines (Basel)
; 10(9)2019 Aug 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31443584
2.
Improved DRUS 4H-SiC MESFET with High Power Added Efficiency.
Micromachines (Basel)
; 11(1)2019 Dec 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31892117
3.
Novel High-Energy-Efficiency AlGaN/GaN HEMT with High Gate and Multi-Recessed Buffer.
Micromachines (Basel)
; 10(7)2019 Jul 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31269635
Resultados
1 -
3
de 3
1
Próxima >
>>