Detalles de la búsqueda
1.
Effect of same-temperature GaN cap layer on the InGaN/GaN multiquantum well of green light-emitting diode on silicon substrate.
ScientificWorldJournal
; 2013: 538297, 2013.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24369453
Resultados
1 -
1
de 1
1
Próxima >
>>