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1.
Investigation on the Thermal Characteristics of Enhancement-Mode p-GaN HEMT Device on Si Substrate Using Thermoreflectance Microscopy.
Micromachines (Basel)
; 13(3)2022 Mar 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35334758
2.
A review on the GaN-on-Si power electronic devices.
Fundam Res
; 2(3): 462-475, 2022 May.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38933402
3.
Effect of Thermal Cleaning Prior to p-GaN Gate Regrowth for Normally Off High-Electron-Mobility Transistors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(24): 21982-21987, 2019 Jun 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31124643
4.
On-wafer fabrication of cavity mirrors for InGaN-based laser diode grown on Si.
Sci Rep
; 8(1): 7922, 2018 May 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29784929
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