Detalles de la búsqueda
1.
Assessment of AlGaN/AlN superlattices on GaN nanowires as active region of electron-pumped ultraviolet sources.
Nanotechnology
; 31(20): 204001, 2020 May 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31986502
2.
Effect of Bias on the Response of GaN Axial p-n Junction Single-Nanowire Photodetectors.
Nano Lett
; 19(8): 5506-5514, 2019 Aug 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31369282
3.
Tuning Electroluminescence from a Plasmonic Cavity-Coupled Silicon Light Source.
Nano Lett
; 18(11): 7230-7237, 2018 11 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30335400
4.
Monolithic Axial and Radial Metal-Semiconductor Nanowire Heterostructures.
Nano Lett
; 18(12): 7692-7697, 2018 12 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30427682
5.
Intersubband absorption in GaN nanowire heterostructures at mid-infrared wavelengths.
Nanotechnology
; 29(38): 385201, 2018 Sep 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29947335
6.
Effect of doping on the intersubband absorption in Si- and Ge-doped GaN/AlN heterostructures.
Nanotechnology
; 28(40): 405204, 2017 Oct 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28787278
7.
Abrupt Schottky Junctions in Al/Ge Nanowire Heterostructures.
Nano Lett
; 15(7): 4783-7, 2015 Jul 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26052733
8.
Correlation of polarity and crystal structure with optoelectronic and transport properties of GaN/AlN/GaN nanowire sensors.
Nano Lett
; 12(11): 5691-6, 2012 Nov 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23030278
9.
Hidden defects in silicon nanowires.
Nanotechnology
; 23(2): 025701, 2012 Jan 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22166492
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