ABSTRACT
Se presentan las propiedades eléctricas del compuesto Cu3BiS3 depositado por co-evaporación. Este es un nuevo compuesto que puede tener propiedades adecuadas para ser utilizado como capa absorbente en celdas solares. Las muestras fueron caracterizadas a través de medidas de efecto Hall y fotovoltaje superficial transiente (SPV). A través de medidas de efecto Hall se encontró que la concentración de portadores de carga n es del orden de 10(16) cm-3 independiente de la relación de masas de Cu/Bi. También se encontró que la movilidad de este compuesto (μ del orden de 4 cm²V -1s-1) varía de acuerdo con los mecanismos de transporte que la gobiernan en dependencia con la temperatura. A partir de las medidas de SPV se encontró alta densidad de defectos superficiales, defectos que son pasivados al superponer una capa buffer sobre el compuesto Cu3BiS3.
Here, we present the electrical properties of the compound Cu3BiS3 deposited by co-evaporation. This new compound may have the properties necessary to be used as an absorbent layer in solar cells. The samples were characterized by Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) measurements. Using Hall effect measurements, we found that the concentration of n charge carriers is in the order of 10(16) cm³ irrespective of the Cu/Bi mass ratio. We also found that the mobility of this compound (μ in the order of 4 cm² V-1s-1) varies according to the transport mechanisms that govern it and are dependent on temperature. Based on the SPV, we found a high density of surface defects, which can be passivated by superimposing a buffer layer over the Cu3BiS3 compound.
Apresentam-se as propriedades elétricas do composto Cu3BiS3 depositado por co-evaporação. É um composto novo que pode ter as propriedades adequadas para ser utilizado como capa absorvente em células solares. As amostras foram caracterizadas através de medidas do efeito Hall e foto voltagem superficial transiente (SPV). Através de medidas do efeito Hall se encontro que a concentração de portadores de carga n é da ordem de 10(16) cm³ independentemente da relação de massas de Cu/Bi. Também se encontrou que a mobilidade des composto (μ da ordem de 4 cm²V -1s-1) varia de acordo com os mecanismos de transporte que a governam em dependência com a temperatura. Partindo das medidas de SPV se encontrou uma alta densidade de defeitos superficiais, defeitos que são passivados a sobrepor uma capa buffer sobre o composto Cu3BiS3.
ABSTRACT
GaN nanocolumnar structures were grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) and also fabricated by electron cyclotron resonance reactive ion etching (ECR-RIE) of a compact GaN film parallel to the [111] direction of the Si(111) substrates. Scanning electron microscopy shows that the nanocolumns fabricated by PAMBE have a length of about 300-500 nm with diameters ranging from 20 to 150 nm while nanowhiskers formed by RIE have diameters of 40-80 nm and a height between 1.4 and 1.7 µm. A comparative study of the vibrational spectrum (including optical and interface phonons) of the nanostructures using conventional macro-Raman and micro-Raman scattering as well as surface-enhanced Raman scattering is presented.
