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1.
Theoretical search for ZnSe-based quaternaries.
Laks DB; Pantelides ST.
Phys Rev B Condens Matter ; 51(4): 2570-2571, 1995 Jan 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9979014
2.
First-principles simulated-annealing study of phase transitions and short-range order in transition-metal and semiconductor alloys.
Lu ZW; Laks DB; Wei S; Zunger A.
Phys Rev B Condens Matter ; 50(10): 6642-6661, 1994 Sep 01.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9974618
3.
First-principles calculations of solubilities and doping limits: Li, Na, and N in ZnSe.
Van de Walle CG; Laks DB; Neumark GF; Pantelides ST.
Phys Rev B Condens Matter ; 47(15): 9425-9434, 1993 Apr 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10005009
4.
First-principles calculations of self-diffusion constants in silicon.
Blöchl PE; Smargiassi E; Car R; Laks DB; Andreoni W; Pantelides ST.
Phys Rev Lett ; 70(16): 2435-2438, 1993 Apr 19.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10053561
5.
Evolution of alloy properties with long-range order.
Laks DB; Wei SH; Zunger A.
Phys Rev Lett ; 69(26): 3766-3769, 1992 Dec 28.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10046908
6.
Efficient cluster expansion for substitutional systems.
Laks DB; Ferreira LG; Froyen S; Zunger A.
Phys Rev B Condens Matter ; 46(19): 12587-12605, 1992 Nov 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10003179
7.
Theory of interfacial stability of semiconductor superlattices.
Laks DB; Zunger A.
Phys Rev B Condens Matter ; 45(24): 14177-14188, 1992 Jun 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10001542
8.
Native defects and self-compensation in ZnSe.
Laks DB; Van de Walle CG; Neumark GF; Blöchl PE; Pantelides ST.
Phys Rev B Condens Matter ; 45(19): 10965-10978, 1992 May 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10001018
9.
Identity of the conduction-band minimum in (AlAs)1/(GaAs)1 (001) superlattices: Intermixing-induced reversal of states.
Laks DB; Zunger A.
Phys Rev B Condens Matter ; 45(19): 11411-11414, 1992 May 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10001083
10.
Role of native defects in wide-band-gap semiconductors.
Laks DB; Van de Walle CG; Neumark GF; Pantelides ST.
Phys Rev Lett ; 66(5): 648-651, 1991 Feb 04.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10043863
11.
Accurate interband-Auger-recombination rates in silicon.
Laks DB; Neumark GF; Pantelides ST.
Phys Rev B Condens Matter ; 42(8): 5176-5185, 1990 Sep 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9996081
12.
Theory of interband Auger recombination in n-type silicon.
Laks DB; Neumark GF; Hangleiter A; Pantelides ST.
Phys Rev Lett ; 61(10): 1229-1232, 1988 Sep 05.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10038735
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