1.
Nano Lett
; 10(4): 1280-6, 2010 Apr 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE
| ID: mdl-20192231
RESUMO
We present a noninvasive optical method to determine the local strain in individual semiconductor nanowires. InP nanowires were intentionally bent with an atomic force microscope and variations in the optical phonon frequency along the wires were mapped using Raman spectroscopy. Sections of the nanowires with a high curvature showed significantly broadened phonon lines. These observations together with deformation potential theory show that compressive and tensile strain inside the nanowires is the physical origin of the observed phonon energy variations.
Assuntos
Índio/química , Nanofios/química , Fosfinas/química , Microscopia de Força Atômica , Nanotecnologia/instrumentação , Semicondutores , Análise Espectral Raman
2.
Small
; 5(2): 203-7, 2009 Feb.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE
| ID: mdl-19058284
Assuntos
Arsenicais/química , Índio/química , Nanopartículas Metálicas/química , Microscopia de Força Atômica/métodos , Nanotecnologia/métodos , Compostos de Silício/química , Fricção , Teste de Materiais , Microscopia Eletrônica de Varredura/métodos , Nanopartículas/química , Nanotecnologia/instrumentação , Nanofios/química , Propriedades de Superfície , Temperatura
3.
Small
; 3(8): 1398-401, 2007 Aug.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE
| ID: mdl-17657751