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1.
Tight-binding quantum molecular-dynamics simulations of hydrogen in silicon.
Boucher DE; DeLeo GG.
Phys Rev B Condens Matter ; 50(8): 5247-5254, 1994 Aug 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9976865
2.
Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in silicon: Semiempirical electronic-structure calculations.
Burnard MJ; DeLeo GG.
Phys Rev B Condens Matter ; 47(16): 10217-10225, 1993 Apr 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10005130
3.
Electronic structure of interstitial carbon in silicon.
Besson M; DeLeo GG.
Phys Rev B Condens Matter ; 43(5): 4028-4033, 1991 Feb 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9997750
4.
Semiempirical electronic-structure calculations of the hydrogen-phosphorus pair in silicon.
DeLeo GG; Fowler WB; Sudol TM; O'Brien KJ.
Phys Rev B Condens Matter ; 41(11): 7581-7586, 1990 Apr 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9993051
5.
Identification of a Fermi resonance for a defect in silicon: Deuterium-boron pair.
Watkins GD; Fowler WB; Stavola M; DeLeo GG; Kozuch DM; Pearton SJ; Lopata J.
Phys Rev Lett ; 64(4): 467-470, 1990 Jan 22.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10041987
6.
Band structure of silicon from the semiempirical modified neglect of diatomic differential overlap method.
Besson M; DeLeo GG; Fowler WB.
Phys Rev B Condens Matter ; 38(18): 13422-13425, 1988 Dec 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9946328
7.
Bond-centered interstitial hydrogen in silicon: Semiempirical electronic-structure calculations.
DeLeo GG; Dorogi MJ; Fowler WB.
Phys Rev B Condens Matter ; 38(11): 7520-7529, 1988 Oct 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9945479
8.
Electronic structure of an oxygen vacancy in lithium niobate.
DeLeo GG; Dobson JL; Masters MF; Bonjack LH.
Phys Rev B Condens Matter ; 37(14): 8394-8400, 1988 May 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9944178
9.
Relationship between the pseudo-Jahn-Teller effect and chemical rebonding.
DeLeo GG; Watkins GD; Fowler WB.
Phys Rev B Condens Matter ; 37(2): 1013-1015, 1988 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9944600
10.
Tight-binding Green's-function approach to off-center defects: Nitrogen and oxygen in silicon.
Besson M; DeLeo GG; Fowler WB.
Phys Rev B Condens Matter ; 33(12): 8188-8195, 1986 Jun 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9938211
11.
Hydrogen-acceptor pairs in silicon.
DeLeo GG; Fowler WB.
Phys Rev Lett ; 56(4): 402, 1986 Jan 27.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10033181
12.
Hydrogen-acceptor pairs in silicon: Pairing effect on the hydrogen vibrational frequency.
DeLeo GG; Fowler WB.
Phys Rev B Condens Matter ; 31(10): 6861-6864, 1985 May 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9935589
13.
Substitutional oxygen-oxygen pair in silicon.
DeLeo GG; Milsted CS; Kralik JC.
Phys Rev B Condens Matter ; 31(6): 3588-3592, 1985 Mar 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9936251
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