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1.
Comment on "Electron paramagnetic resonance of molecular hydrogen in silicon"
Brower KL; Myers SM; Edwards AH; Johnson NM; Van de Walle CG; Poindexter EH.
Phys Rev Lett ; 73(10): 1456, 1994 Sep 05.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10056797
2.
Theory of the self-trapped hole in a-SiO2.
Edwards AH.
Phys Rev Lett ; 71(19): 3190-3193, 1993 Nov 08.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10054880
3.
Interaction of H and H2 with the silicon dangling orbital at the <111> Si/SiO2 interface.
Edwards AH.
Phys Rev B Condens Matter ; 44(4): 1832-1838, 1991 Jul 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9999721
4.
Relationship between hyperfine parameters and the geometry of defects in nonmetallic solids.
Edwards AH; Fowler WB.
Phys Rev B Condens Matter ; 41(15): 10816-10823, 1990 May 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9993494
5.
Asymmetrical relaxation of simple E' centers in silicon dioxide isomorphs.
Edwards AH; Fowler WB; Feigl FJ.
Phys Rev B Condens Matter ; 37(15): 9000-9005, 1988 May 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9944271
6.
Theory of the Pb center at the <111> Si/SiO2 interface.
Edwards AH.
Phys Rev B Condens Matter ; 36(18): 9638-9648, 1987 Dec 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9942861
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