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1.
Effect of interfacial hydrogen in CoSi2/Si(100) Schottky-barrier contacts.
Aboelfotoh MO; Marwick AD; Freeouf JL.
Phys Rev B Condens Matter ; 49(15): 10753-10756, 1994 Apr 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10009908
2.
Ideal Schottky diodes on passivated silicon.
Wittmer M; Freeouf JL.
Phys Rev Lett ; 69(18): 2701-2704, 1992 Nov 02.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10046562
3.
Raman spectroscopy of long-range order in epitaxial Si0.5Ge0.5 alloys.
Tsang JC; Kesan VP; Freeouf JL; LeGoues FK; Iyer SS.
Phys Rev B Condens Matter ; 46(11): 6907-6914, 1992 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10002394
4.
Localized and nonlocalized states in thin Ge layers grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures.
Tsang JC; Freeouf JL; Iyer SS.
Phys Rev B Condens Matter ; 46(12): 7755-7764, 1992 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10002515
5.
Comment on "Electronic structure of ideal metal/GaAs contacts"
Freeouf JL; Woodall JM; Duke CB.
Phys Rev Lett ; 67(19): 2745, 1991 Nov 04.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10044506
6.
Spectroscopic ellipsometry of E1-like transitions in nanometer-thickness Ge layers.
Freeouf JL; Tsang JC; LeGoues FK; Iyer SS.
Phys Rev Lett ; 64(3): 315-318, 1990 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10041949
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