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Diffusion of Sb in strained and relaxed Si and SiGe.

Kringhoj P; Larsen AN; Shirayev SY.

Phys Rev Lett ; 76(18): 3372-3375, 1996 Apr 29.

Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10060950

Kringhoj P; Larsen AN.

Phys Rev B Condens Matter ; 52(23): 16333-16336, 1995 Dec 15.

Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9981023

{111} defects in 1-MeV-silicon-ion-implanted silicon.

Chou CT; Cockayne DJ; Zou J; Kringhoj P; Jagadish C.

Phys Rev B Condens Matter ; 52(24): 17223-17230, 1995 Dec 15.

Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9981150

Kringhoj P; Elliman RG.

Phys Rev Lett ; 73(6): 858-861, 1994 Aug 08.

Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10057557

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