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1.
Semiconducting Mg2Si thin films prepared by molecular-beam epitaxy.
Mahan JE; Vantomme A; Langouche G; Becker JP.
Phys Rev B Condens Matter ; 54(23): 16965-16971, 1996 Dec 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9985826
2.
Channeling of MeV ions in polyatomic epitaxial films: ReSi2 on Si(100).
Bai G; Nicolet MA; Mahan JE; Geib KM.
Phys Rev B Condens Matter ; 41(13): 8603-8607, 1990 May 01.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9993196
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