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1.
Free energy of the concerted-exchange mechanism for self-diffusion in silicon.
Antonelli A; Ismail-Beigi S; Kaxiras E; Pandey KC.
Phys Rev B Condens Matter ; 53(3): 1310-1314, 1996 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9983589
2.
Localized orbital theory of electronic structure: A simple application.
Pandey KC; Williams AR; Janak JF.
Phys Rev B Condens Matter ; 52(20): 14415-14420, 1995 Nov 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9980771
3.
Contribution of concerted exchange to the entropy of self-diffusion in Si.
Kaxiras E; Pandey KC.
Phys Rev B Condens Matter ; 47(3): 1659-1662, 1993 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10006191
4.
Entropy calculation beyond the harmonic approximation: Application to diffusion by concerted exchange in Si.
Pandey KC; Kaxiras E.
Phys Rev Lett ; 66(7): 915-918, 1991 Feb 18.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10043939
5.
Evidence for trimer reconstruction of Si(111) sqrt 3 x sqrt 3 -Sb: Scanning tunneling microscopy and first-principles theory.
Mårtensson P; Meyer G; Amer NM; Kaxiras E; Pandey KC.
Phys Rev B Condens Matter ; 42(11): 7230-7233, 1990 Oct 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9994851
6.
Electronic states due to surface doping: Si(111) sqrt 3 x sqrt 3B.
Kaxiras E; Pandey KC; Himpsel FJ; Tromp RM.
Phys Rev B Condens Matter ; 41(2): 1262-1265, 1990 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9993836
7.
Scanning tunneling microscopy and first-principles theory of the Sn/GaAs(110) surface.
Shih CK; Kaxiras E; Feenstra RM; Pandey KC.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(14): 10044-10047, 1989 Nov 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9991549
8.
Isolated As antisite in GaAs: Possibility of the EL2 defect.
Kaxiras E; Pandey KC.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(11): 8020-8023, 1989 Oct 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9991243
9.
New classical potential for accurate simulation of atomic processes in Si.
Kaxiras E; Pandey KC.
Phys Rev B Condens Matter ; 38(17): 12736-12739, 1988 Dec 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9946236
10.
Energetics of defects and diffusion mechanisms in graphite.
Kaxiras E; Pandey KC.
Phys Rev Lett ; 61(23): 2693-2696, 1988 Dec 05.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10039198
11.
Annealing of heavily arsenic-doped silicon: Electrical deactivation and a new defect complex.
Pandey KC; Erbil A; Cargill III; Boehme RF; Vanderbilt D.
Phys Rev Lett ; 61(11): 1282-1285, 1988 Sep 12.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10038752
12.
Ab initio theory of polar semiconductor surfaces. I. Methodology and the (22) reconstructions of GaAs(111).
Kaxiras E; Bar-Yam Y; Joannopoulos JD; Pandey KC.
Phys Rev B Condens Matter ; 35(18): 9625-9635, 1987 Jun 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9941389
13.
Ab initio theory of polar semiconductor surfaces. II. (22) reconstructions and related phase transitions of GaAs(1-bar1-bar1-bar).
Kaxiras E; Bar-Yam Y; Joannopoulos JD; Pandey KC.
Phys Rev B Condens Matter ; 35(18): 9636-9643, 1987 Jun 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9941390
14.
Diffusion without vacancies or interstitials: A new concerted exchange mechanism.
Pandey KC.
Phys Rev Lett ; 57(18): 2287-2290, 1986 Nov 03.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10033684
15.
Variable stoichiometry surface reconstructions: New models for GaAs(1-bar1-bar1-bar) (2 x 2) and ( sqrt 1-bar9-bar x sqrt 1-bar9-bar).
Kaxiras E; Bar-Yam Y; Joannopoulos JD; Pandey KC.
Phys Rev Lett ; 57(1): 106-109, 1986 Jul 07.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10033369
16.
Role of chemical potentials in surface reconstruction: A new model and phase transition of GaAs(111)2x2.
Kaxiras E; Pandey KC; Bar-Yam Y; Joannopoulos JD.
Phys Rev Lett ; 56(26): 2819-2822, 1986 Jun 30.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10033103
17.
(2 x 2) reconstructions of the {111} polar surfaces of GaAs.
Kaxiras E; Bar-Yam Y; Joannopoulos JD; Pandey KC.
Phys Rev B Condens Matter ; 33(6): 4406-4409, 1986 Mar 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9938896
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