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1.
Atomic arrangement at the AlN/SiC interface.
Ponce FA; Van de Walle CG; Northrup JE.
Phys Rev B Condens Matter ; 53(11): 7473-7478, 1996 Mar 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9982197
2.
Effect of interface chemistry on the growth of ZnSe on the Si(100) surface.
Bringans RD; Biegelsen DK; Swartz L; Ponce FA; Tramontana JC.
Phys Rev B Condens Matter ; 45(23): 13400-13406, 1992 Jun 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10001425
3.
Defects in single-crystal silicon induced by hydrogenation.
p Johnson NM; Ponce FA; Street RA; Nemanich RJ.
Phys Rev B Condens Matter ; 35(8): 4166-4169, 1987 Mar 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9941962
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