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1.
Electron transport at metal-semiconductor interfaces: General theory.
Tung RT.
Phys Rev B Condens Matter ; 45(23): 13509-13523, 1992 Jun 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10001439
2.
Co on Si(111): Silicide formation.
Zegenhagen J; Patel JR; Freeland PE; Tung RT.
Phys Rev B Condens Matter ; 44(24): 13626-13630, 1991 Dec 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9999565
3.
Schottky-barrier inhomogeneity at epitaxial NiSi2 interfaces on Si(100).
Tung RT; Levi AF; Sullivan JP; Schrey F.
Phys Rev Lett ; 66(1): 72-75, 1991 Jan 07.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10043145
4.
Comment on "Evidence of eightfold coordination for Co atoms at the CoSi2/Si(111) interface"
Zegenhagen J; Tung RT; Patel JR; Freeland PE.
Phys Rev Lett ; 64(8): 980, 1990 Feb 19.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10042131
5.
Topography of the Si(111) surface during silicon molecular-beam epitaxy.
Tung RT; Schrey F.
Phys Rev Lett ; 63(12): 1277-1280, 1989 Sep 18.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10040521
6.
X-ray interference method for studying interface structures.
Robinson IK; Tung RT; Feidenhans'l R.
Phys Rev B Condens Matter ; 38(5): 3632-3635, 1988 Aug 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9946729
7.
Surface structure of thin epitaxial CoSi2 grown on Si(111).
Hellman F; Tung RT.
Phys Rev B Condens Matter ; 37(18): 10786-10794, 1988 Jun 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9944532
8.
Origin of A- or B-type NiSii2 determined by in in situ transmission electron microscopy and diffraction during growth.
Gibson JM; Batstone JL; Tung RT; Unterwald FC.
Phys Rev Lett ; 60(12): 1158-1161, 1988 Mar 21.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10037956
9.
Origin of the excess capacitance at intimate Schottky contacts.
Werner J; Levi AF; Tung RT; Anzlowar M; Pinto M.
Phys Rev Lett ; 60(1): 53-56, 1988 Jan 04.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10037865
10.
Ordering at Si(111)/a-Si and Si(111)/SiO2 interfaces.
Robinson IK; Waskiewicz WK; Tung RT; Bohr J.
Phys Rev Lett ; 57(21): 2714-2717, 1986 Nov 24.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10033842
11.
States at epitaxial NiSi2/Si heterojunctions studied by deep-level transient spectroscopy and hydrogenation.
Chantre A; Levi AF; Tung RT; Dautremont-Smith WC; Anzlowar M.
Phys Rev B Condens Matter ; 34(6): 4415-4418, 1986 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9940228
12.
Schottky-barrier heights of single-crystal NiSi2 on Si(111): The effect of a surface p-n junction.
Tung RT; Ng KK; Gibson JM; Levi AF.
Phys Rev B Condens Matter ; 33(10): 7077-7090, 1986 May 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9938036
13.
Preservation of a 7 x 7 periodicity at a buried amorphous Si/Si(111) interface.
Gibson JM; Gossmann H; Bean JC; Tung RT; Feldman LC.
Phys Rev Lett ; 56(4): 355-358, 1986 Jan 27.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10033166
14.
Specular boundary scattering and electrical transport in single-crystal thin films of CoSi2.
Hensel JC; Tung RT; Poate JM; Unterwald FC.
Phys Rev Lett ; 54(16): 1840-1843, 1985 Apr 22.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10031154
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