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1.
Comment on "Gold, self-, and dopant diffusion in silicon"
Monson TK; Van Vechten JA; Q S; Graupner RK.
Phys Rev B Condens Matter ; 49(4): 2972-2976, 1994 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10011145
2.
Entropy of migration for atomic hopping.
Dobson TW; Wager JF; Van Vechten JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(5): 2962-2967, 1989 Aug 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9992228
3.
Reply to "Comment on 'Atomic model for the EL2 defect in GaAs"
Wager JF; Van Vechten JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(3): 1967-1969, 1989 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9948425
4.
Activation enthalpy of recombination-enhanced vacancy migration in Si.
Van Vechten JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 38(14): 9913-9919, 1988 Nov 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9945816
5.
Reply to "Comment on 'Atomic model for the EL2 defect in GaAs"
Wager JF; Van Vechten JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 38(15): 10956-10957, 1988 Nov 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9945966
6.
First-overtone response in modulated photoluminescence emission in silicon at room temperature.
Guidotti D; Batchelder JS; Finkel A; Van Vechten JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 38(2): 1569-1572, 1988 Jul 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9946431
7.
Structure of laser-pulse-plasma-induced carbon clusters: Explanation of the magic numbers.
Van Vechten JA; Keszler DA.
Phys Rev B Condens Matter ; 36(8): 4570-4573, 1987 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9943466
8.
Mobility enhancement of modulation-doped materials by low-temperature optical annealing of spacer-layer defect charge state.
Higgins RJ; Martin KP; Syphers DA; Van Vechten JA; Palmateer SC.
Phys Rev B Condens Matter ; 36(5): 2707-2712, 1987 Aug 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9943154
9.
Atomic model for the EL2 defect in GaAs.
Wager JF; Van Vechten JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 35(5): 2330-2339, 1987 Feb 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9941683
10.
Vacancies, dislocations, and carbon interstitials in Si.
Van Vechten JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 35(2): 864-869, 1987 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9941481
11.
Comment on "Green's-function calculation of the lattice response near the vacancy in Si."
Van Vechten JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 33(12): 8785-8788, 1986 Jun 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9938287
12.
Divacancy binding enthalpy and contribution of divacancies to self-diffusion in Si.
Van Vechten JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 33(4): 2674-2689, 1986 Feb 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9938608
13.
Atomic model for the M center in InP.
Wager JF; Van Vechten JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 32(8): 5251-5258, 1985 Oct 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9937738
14.
Asymmetry of anion and cation vacancy migration enthalpies in III-V compound semiconductors: Role of the kinetic energy.
Van Vechten JA; Wager JF.
Phys Rev B Condens Matter ; 32(8): 5259-5264, 1985 Oct 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9937739
15.
Temperature dependence of transverse acoustic phonons in semiconductors.
Van Vechten JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 31(4): 2508-2509, 1985 Feb 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9936071
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