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Opt Express ; 20(9): 9458-64, 2012 Apr 23.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-22535035

RESUMO

We estimate high optical absorption in silicon thin film photovoltaic devices using triangular corrugations on the back metallic contact. We computationally show 21.9% overall absorptivity in a 100-nm-thick silicon layer, exceeding any reported absorptivity using single layer gratings placed on the top or the bottom, considering both transverse electric and transverse magnetic polarizations and a wide spectral range (280 - 1100 nm). We also show that the overall absorptivity of the proposed scheme is relatively insensitive to light polarization and the angle of incidence. We also discuss the implications of potential fabrication process variations on such a device.


Assuntos
Fontes de Energia Elétrica , Membranas Artificiais , Metais/química , Refratometria/instrumentação , Silício/química , Energia Solar , Absorção , Desenho de Equipamento , Análise de Falha de Equipamento , Espalhamento de Radiação
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